“碳”索未来，”芯”动无限 三安精彩亮相PCIM Asia

上海2025年9月26日 /美通社/ — 9月24日至26日，作为化合物半导体行业的先进企业，三安精彩亮相电力电子盛会PCIM Asia上海展。在N5馆-B50展台，三安集中展示了涵盖碳化硅全产业链的核心产品与解决方案，包括SiC MOSFET/SBD、衬底、外延片、车规级模块等，覆盖新能源汽车、光伏储能、工业控制等关键应用场景。展会现场人流如织，三安技术团队与客户深入交流，共同探讨如何通过高性能碳化硅方案提升能效、优化系统尺寸与总成本。

作为国内率先实现碳化硅全产业链垂直整合的企业，三安具备从粉料合成到芯片封测的自主可控能力。本次展会还同步展示了针对新能源汽车与工业应用自主研发的评估测试板，助力客户加速系统验证与产品上市。

在同期举办的ISES China 2025国际半导体高管峰会上，三安半导体工艺技术研发副总顾子琨博士受邀发表主题演讲，系统阐述了三安在碳化硅MOSFET技术上的演进路径与突破，包括产品可靠性提升、导通电阻优化等关键进展，展现了三安在宽禁带半导体领域从材料到芯片的全链闭环能力。

双会联动，”芯”光熠熠。三安双线出击两大行业盛会，以领先的碳化硅（SiC）与功率半导体解决方案，体现了公司持续推进能源电子产业升级的战略决心，与行业大咖共同探讨技术前沿，携手引领下一代能源与电子革命！

未来，三安将持续加大宽禁带半导体创新投入，深化全球合作，推动”中国芯”在高端能源与电子应用中实现更大规模落地，为构建绿色、高效的智慧未来注入三安力量。

本文由CXO UNION-CXO联盟（cxounion.cn）转载而成，来源于湖南三安半导体；编辑/翻译：CXO UNIONCXO联盟小U。

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